課程資訊
課程名稱
以量子物質推進終極與超越互補式金氧半元件(一)
Pushing science in ultimate and beyond CMOS with quantum matters(I) 
開課學期
107-1 
授課對象
理學院  物理學研究所  
授課教師
洪銘輝 
課號
Phys8140 
課程識別碼
222 D3490 
班次
 
學分
3.0 
全/半年
半年 
必/選修
選修 
上課時間
星期五6,7,8(13:20~16:20) 
上課地點
 
備註
上課地點將另行公布
總人數上限:30人
外系人數限制:1人 
 
課程簡介影片
 
核心能力關聯
核心能力與課程規劃關聯圖
課程大綱
為確保您我的權利,請尊重智慧財產權及不得非法影印
課程概述

在過去的80年之間,應用物理推動、啟發並產生了重要的高科技產業,涵蓋了計算、通訊、記憶體、顯示、大眾運輸以及能源科技,而這些皆為人類於科技歷史中前所未見的。相較於學術科學以及傳統工業,應用物理扮演了和以往極為不同的角色,透過量子現象(及其相關理論)、嶄新材料/原子尺度薄膜(及其生產設備如分子束磊晶、原子層沉積、金屬有機化合物化學氣相沈積)、新穎高效能元件、原子尺度探測儀器之間的緊密結合,已發展出實用且極其重要的產品,不僅革新了計算和通訊,且大幅推進醫療檢測,造福人群。
非常重要地,新物理及其應用已被發現/發明,像是電晶體、雷射、量子霍爾效應/分數量子霍爾效應、光纖、電耦合元件與二維量子材料。應用物理大量運用於材料科學、電子元件以及高科技工業。於107學年度的上學期及下學期,我們設計這個新課程:「以量子物質推進終極與超越互補式金氧半電晶體的科學」,此課程將會著重於終極互補式金氧半電晶體和超越其之奈米電子元件,因此將會需要對於固態物理、半導體物理及新穎材料如自旋電子以及拓樸絕緣體相當深度的瞭解,課程主題將引導至台灣產業未來所需創新元件。
在奈米電子元件,高介電係數氧化物整合金屬閘極,取代傳統的二氧化矽以及多晶矽閘極,並且於45奈米節點解決了重大的漏電問題,此為近年半導體產業最為重要的創新之一,並使矽是否為最重要的半導體材料懸上一個問號。將高介電係數閘極整合於高載子遷移率半導體(鍺、砷化(銦)鎵)整合於矽之上的嶄新技術,將會生展出更快速且低功耗的電子元件。現今來自世界各地大量的研究投入於整合創新研究計畫,將奈米科學、奈米材料、奈米電子共創造出高效能”綠”積體電路技術。
現今及未來之終極互補式金氧半電晶體是基於電子的電荷本質,然而,基於電子的自旋特性所產生之自旋電子學、拓墣絕緣體,以及其相關元件,正如火如荼被研究以期超越現今的互補式金氧半電晶體。在超越Si CMOS的階段裡,一個新的研究方向是新穎量子物質,並用其發展出「典範轉移」的科技,以達到更快的計算速率以及更低的功耗。自旋電子學是其中一個前瞻性的研究,這項研究的目標是在創新的元件操作電子自旋,實現超越傳統電子元件的效能,並最終用零功耗的純自旋流來傳遞資訊。自旋電子學中一個重要的課題是用純粹電控的方式在磁性元件上操控自旋流,在尋找理想自旋流產生的系統中,具有強自旋軌道耦合的非磁性材料有相當大的潛力,像是在中金屬鉑和鉭中,自旋霍爾效應保證外加電流可在橫向產生純自旋流,並且在樣品邊界上產生自旋累積。另外,在一個沒有反轉對稱的系統裡,Dresselhaus或Rashba自旋分離也能導致自旋累積,一個經典的例子是鉍銀介面的強自旋—電荷轉換。
拓樸絕緣體是更新而且更有希望用來產生自旋流的材料,拓樸絕緣體的研究自觀察到在CdTe/HgTe/CdTe量子井裡的量子自旋霍爾絕緣體開始有驚人的進展。在眾多令人興奮的拓樸絕緣體物理當中,拓樸表面態的「自旋—動量正交」特性有極大的自旋電子學應用潛力,其中,三維拓樸絕緣體硒化鉍特別重要,因為它在室溫具有相對大的能隙(約0.3電子伏特),而且只有一個狄拉克錐坐落在動量空間原點。
During the past 80 years, applied physics has pushed, inspired, and produced major high-tech industries, from computing, communication, memory, display, transportation, to energy. This has been unprecedented in human history of science and technology. Applied physics has played a drastically different role than the conventional paths taken by academic science and traditional industries. Quantum phenomena (and the related theories), new materials/atomic-scale thin films (and their fabrication tools such as molecular beam epitaxy (MBE), atomic layer deposition (ALD), metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD)), novel/high-performance devices, and atomic-scale probing tools have been intertwined and generated useful and essential pro 

課程目標
這門課涵蓋了新穎量子材料導論,從早期在利用角分辨光電子能譜學(ARPES)、掃描穿隧顯微術和電性傳輸,到近期的自旋軌道力矩和自旋—動量正交等的自旋傳輸現象的發展都將會介紹。此外,我們也會討論到一些重要的物理,包括因為時間返衍對稱的破壞引起的拓樸相轉換(例如:量子反常霍爾效應和拓樸磁電效應)。拓樸絕緣體最主要的挑戰來自於材料問題。我們將會特別討論材料製備與材料分析的方法。
本特論課程提供給研究所碩博士生當今先進科研題材,內容涵括奈米材料與結構檢測、奈米電子、自旋電子學等尖端領域,授課強調基礎量子物理現象與機制,及實際應用至奈米材料與結構。同時,物理界最近崛起新研究方向,探求新興量子物質以實現奇特量子現象,譬如二維量子材料與拓樸絕緣體等受到全球廣泛矚目,為凝態物理界當今首要科研主題,預期在無耗散自旋電子學與量子計算將有重大應用,突破目前科技極限,發展成為「範式轉變」的先導科技。
授課方式強調基礎量子物理觀念與現象,注重新興量子物質之實際應用,及涵蓋最新相關科技發展。本課程不僅傳授當今前瞻凝態科研之菁華,深度與廣度並重,特別著重引發學生對現今研究專題產生興趣,培養主動學習習慣,包括蒐集期刊論文資料,予以彙整、分析以求甚解,鼓勵由學生自發性地提出創新想法和提議。本課程實為研究所課程當中銜接基礎課程與先進研究極為重要的一環,對於培育未來研究人才之主動性與獨立思考能力更是不可或缺之課程。
In this course, introduction to the development of the new class of quantum materials, starting from early study based on angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES), scanning tunneling microscopy (STM), and electrical transport, to more recent spin-transport-related phenomena in TIs including spin-orbit torque and SML, will be covered. Besides, important physics of topological phase transition originated from symmetry breaking of topological surface states, such as quantum anomalous Hall effect and topological magnetoelectric effect, will be introduced. The material problem is the major challenge posed on the TI research. We will pay special attention to material fabrication and characterization methods. 
課程要求
固態物理、量子力學、半導體物理
Solid state physics, quantum mechanics, semiconductor physics 
預期每週課後學習時數
 
Office Hours
 
指定閱讀
 
參考書目
 
評量方式
(僅供參考)
   
課程進度
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單元主題
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